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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
比较
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
总分
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
总分
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
77
左右 52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
77
读取速度,GB/s
15.5
13.6
写入速度,GB/s
10.1
6.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2595
1549
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF552C40-16 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
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