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Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
比较
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
总分
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
总分
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
52
左右 -68% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.8
1,906.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
31
读取速度,GB/s
4,672.4
16.0
写入速度,GB/s
1,906.4
10.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
698
2816
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB RAM的比较
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
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G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kllisre 0000 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU5-GN-F 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
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