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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs AMD R744G2133U1S 4GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
AMD R744G2133U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R744G2133U1S 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
36
左右 -24% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
29
读取速度,GB/s
15.0
13.8
写入速度,GB/s
10.3
8.8
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
2415
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
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