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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
36
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
32
读取速度,GB/s
15.0
19.5
写入速度,GB/s
10.3
14.6
内存带宽,mbps
17000
25600
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
3572
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
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