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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
36
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.4
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.4
10.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
23
读取速度,GB/s
15.0
20.4
写入速度,GB/s
10.3
17.4
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
4214
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
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