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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
36
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
34
读取速度,GB/s
15.0
18.2
写入速度,GB/s
10.3
16.9
内存带宽,mbps
17000
25600
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
3465
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB RAM的比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
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