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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
36
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.3
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
34
读取速度,GB/s
15.0
19.3
写入速度,GB/s
10.3
14.6
内存带宽,mbps
17000
25600
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
3249
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
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