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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.3
9.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
36
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
15
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
29
读取速度,GB/s
15.0
15.1
写入速度,GB/s
10.3
9.8
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
2750
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
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