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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
36
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
10.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
32
读取速度,GB/s
15.0
16.5
写入速度,GB/s
10.3
11.6
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
2920
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
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