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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
36
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
10.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
31
读取速度,GB/s
15.0
16.8
写入速度,GB/s
10.3
12.2
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
3125
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
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