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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
48
左右 25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
14.6
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
48
读取速度,GB/s
15.0
12.3
写入速度,GB/s
10.3
14.6
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
3061
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
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