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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
36
左右 -33% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.5
10.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
27
读取速度,GB/s
15.0
12.8
写入速度,GB/s
10.3
16.5
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
3259
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
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