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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
23.1
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.4
10.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
25
读取速度,GB/s
15.0
23.1
写入速度,GB/s
10.3
19.4
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
4380
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
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