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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
36
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
24
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
20.0
10.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
29
读取速度,GB/s
15.0
24.0
写入速度,GB/s
10.3
20.0
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
4156
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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