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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Kingston KHX2400C14/16G 16GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
36
左右 -38% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.2
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
26
读取速度,GB/s
15.0
14.7
写入速度,GB/s
10.3
12.2
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
2627
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R7416G2133U2S 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
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