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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Kingston KTP9W1-MIE 16GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
36
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
34
读取速度,GB/s
15.0
15.7
写入速度,GB/s
10.3
12.2
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
2978
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
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