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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
36
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
33
读取速度,GB/s
15.0
17.1
写入速度,GB/s
10.3
13.4
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
3286
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
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