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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 -44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.7
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
25
读取速度,GB/s
15.0
14.3
写入速度,GB/s
10.3
10.7
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
2583
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
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