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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
73
左右 51% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
15
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
73
读取速度,GB/s
15.0
15.8
写入速度,GB/s
10.3
8.4
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
1822
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
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