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Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
比较
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
总分
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
总分
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
33
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
32
33
读取速度,GB/s
15.9
16.0
写入速度,GB/s
12.0
12.1
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2952
2947
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
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Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
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