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Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
比较
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
总分
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
总分
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
38
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
32
读取速度,GB/s
14.6
15.9
写入速度,GB/s
10.8
12.0
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2298
2952
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
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