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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
比较
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
总分
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
总分
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
33
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.0
12.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
22
读取速度,GB/s
16.0
19.0
写入速度,GB/s
12.1
17.0
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2947
3929
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
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Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
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