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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
33
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
21
读取速度,GB/s
17.6
18.1
写入速度,GB/s
12.0
14.8
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3087
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
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