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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
33
左右 -50% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
22
读取速度,GB/s
17.6
13.8
写入速度,GB/s
12.0
7.1
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2191
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB RAM的比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
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