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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
73
左右 55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
73
读取速度,GB/s
17.6
14.8
写入速度,GB/s
12.0
7.3
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
1638
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
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