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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 -18% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
28
读取速度,GB/s
17.6
16.1
写入速度,GB/s
12.0
12.9
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3266
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
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Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
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