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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
60
左右 45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.3
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
60
读取速度,GB/s
17.6
15.6
写入速度,GB/s
12.0
12.3
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2590
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
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