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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
33
左右 -38% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
24
读取速度,GB/s
17.6
14.7
写入速度,GB/s
12.0
11.7
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3012
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
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