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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMR16GX4M2C 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
66
左右 50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
66
读取速度,GB/s
17.6
11.4
写入速度,GB/s
12.0
7.2
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
1604
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
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