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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
36
左右 8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.4
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
36
读取速度,GB/s
17.6
15.1
写入速度,GB/s
12.0
12.4
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2871
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
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SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
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