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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.6
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
37
读取速度,GB/s
17.6
15.5
写入速度,GB/s
12.0
12.6
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2962
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT41GU6MFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
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