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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
比较
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
总分
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
总分
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
25.6
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
20.7
12.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
25
读取速度,GB/s
13.4
25.6
写入速度,GB/s
12.1
20.7
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3419
4537
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
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