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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
40
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
26
读取速度,GB/s
12.3
14.8
写入速度,GB/s
8.9
9.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2437
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
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SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
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