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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
33
左右 -27% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.5
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
26
读取速度,GB/s
17.6
15.2
写入速度,GB/s
12.0
15.5
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3295
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
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