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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
55
87
左右 -58% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
55
读取速度,GB/s
3,155.6
16.3
写入速度,GB/s
870.4
12.3
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2653
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
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