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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
23400
左右 1.09% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
33
左右 -10% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
30
读取速度,GB/s
17.6
16.1
写入速度,GB/s
12.0
13.9
内存带宽,mbps
25600
23400
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3272
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
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