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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
33
左右 -3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.7
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
32
读取速度,GB/s
17.6
15.6
写入速度,GB/s
12.0
13.7
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3122
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB RAM的比较
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
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