RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
15.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
33
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
32
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3122
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link