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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
33
读取速度,GB/s
17.6
15.0
写入速度,GB/s
12.0
10.3
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2478
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB RAM的比较
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
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