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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
17.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
33
左右 -6% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
31
读取速度,GB/s
17.6
17.1
写入速度,GB/s
12.0
13.9
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3422
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
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