RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
33
Autour de -6% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
31
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
3422
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link