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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
37
读取速度,GB/s
17.6
15.1
写入速度,GB/s
12.0
11.2
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2824
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
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