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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
34
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.5
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
34
读取速度,GB/s
17.4
15.4
写入速度,GB/s
10.9
11.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2763
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
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