RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
34
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
34
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
2763
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link