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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
17.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 -22% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.1
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
27
读取速度,GB/s
17.6
17.4
写入速度,GB/s
12.0
14.1
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3557
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
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