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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
28
读取速度,GB/s
17.6
18.0
写入速度,GB/s
12.0
14.1
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3537
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
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G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
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