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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
33
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
31
读取速度,GB/s
17.6
17.9
写入速度,GB/s
12.0
13.8
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3261
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
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Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
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SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
INTENSO 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
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