RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
33
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
31
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3261
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link