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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 -14% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
29
读取速度,GB/s
17.6
13.7
写入速度,GB/s
12.0
11.3
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2967
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
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