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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
33
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.3
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
24
读取速度,GB/s
17.6
20.3
写入速度,GB/s
12.0
16.6
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3987
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
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